تقویت‌کننده کسکود تمام‌تفاضلی بازیابی تاشده بهبودیافته ولتاژ و توان پایین

Authors

  • خلیل منفردی تبریز - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده فنی و مهندسی - گروه مهندسی برق
  • یوسف بلقیس‌آذر تبریز - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده فنی و مهندسی - گروه مهندسی برق
Abstract:

در این مقاله، ساختاری جدید برای تقویت‌کننده کسکود تاشده تمام‌تفاضلی جهت کار در ولتاژ و توان کم ارائه شده است. تقویت‌کننده کسکود تاشده متداول و تقویت‌کننده کسکود بازیابی تاشده شبیه‌سازی شده است که با استفاده از ترارسانایی بالاتر ارائه شده در ساختار کسکود بازیابی تاشده بهره DC، بهره پهنای باند و نویز ارجاع‌شده به ورودی بهبود یافته است. با این وجود در ساختار کسکود بازیابی تاشده حاشیه فاز کم شده است که در مدار تقویت‌کننده کسکود بازیابی تاشده بهبودیافته پیشنهادی این افت جبران شده است. تقویت‌کننده‌ها در محیط نرم‌افزار Cadence و با استفاده از تکنولوژی TSMC 180 nm شبیه‌سازی شده‌اند. نتایج شبیه‌سازی پساجانمایی برای ساختار کسکود بازیابی تاشده بهبودیافته (IRFC) ارائه شده است که مؤید عملکرد مناسب مدار پیشنهادی می‌باشد. ضریب شایستگی بالای تقویت‌کننده پیشنهادی نسبت به کارهای مشابه نشان‌دهنده بهبود عملکرد آن می‌باشد.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

یک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

full text

یک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

full text

یک فیلتر Gm-C قابل تنظیم ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای بی‌سیم

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

full text

یک فیلتر Gm-C قابل تنظیم ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای بی‌سیم

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

full text

طراحی مدار مبدل سطح ولتاژ با بازده توان بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین

در این مقاله یک  تبدیل سطح ولتاژ مؤثر که قابلیت تبدیل سطوح ولتاژ بسیار پایین ورودی به سطح بالاتر با کاربرد در    فرکانس­های بالا را دارد، ارائه شده است. به منظور جلوگیری از اتلفات توان استاتیک، در ساختار پیشنهادی از یک منبع جریان استفاده شده و در طی انتقال فقط زمانی که در آن سطح منطق سیگنال ورودی با به سطح منطق خروجی متناظر نمی‌باشد، روشن است. عملکرد ساختار پیشنهادی تحلیل و بررسی شده و نتایج شب...

full text

طراحی یک تقویت‌کننده کم‌نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا به کمک روش تزویج مغناطیسی در باند 45GHz

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 48  issue 1

pages  327- 334

publication date 2018-05-22

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023